说实话，长鑫内存需要4F技术，但美光可以不要
前段时间，有很多媒体报道称，中国内存芯片巨头长鑫科技预计在今年推出一款4F架构的DDR5 RDIMM内存，而韩国媒体报道称，这个技术或比三星领先2年。
而几天之后，美光表态称，美光在20年前就研究这个4F技术了，但美光觉得自己没必要去搞，还是搞自己的6F技术就行了。
然后很多人就吐槽美光，称美光不是不想搞，而是搞不出来，是吃不着葡萄说葡萄酸。
说实话，就4F架构本身而言，确实是一个好技术，但好技术也要看情况，并不是所有企业，都必须去搞的，对美光而言，目前还真的可以不要。
要说清楚这个技术，我们先要说一下内存芯片到底是怎么构成的。
逻辑芯片，比如CPU、Soc这些，芯片全部由晶体管构成，提高工艺就是微缩晶体管，让晶体管密度增加，于是性能提升。
但存储芯片是要存储数据的，所以并不全是由晶体管构成，通常是一个晶体管配一个电容，也就是1T1C结构，一个晶体管和一个电容，构成了一个最小的存储单元。
以往晶体管与电容都是平面结构，两者合计要占用6个最小单位大小的位置，所以也就是6F。
而4F则是将晶体管竖起来，不再是平面排列了，这样就只要占到4个最小单位大小的位置了，所以就称之为4F。
很明显，4F比6F要用的面积小，缩小了三分之一，所以在同样的芯片面积下，存储密度确实是更高的，这样同样一块大小的晶圆，到时候切割出来的芯片就变多了，存储的数据也更多，似乎成本就会下降……
那么问题就来了，为何长鑫需要，但美光并不需要呢？
这个也并不难理解，4F确实能够提高存储密度，缩小单位尺寸，但走的与当前的路不太一样，垂直排队并不只是垂直这么简单，对刻蚀、原子层沉积、选择性外延的要求全面升级，难度是很大的，还需要用到混合键合技术，步骤也变多了，更复杂了，良率控制也没那么容易。
6F则是目前大家都在走的路，有一整套的成熟的方案，对于美光而言，它是能够买到EUV光刻机的，6F这条路还可以一直走下去，继续微缩下去，不需要改方案。
长鑫买不到EUV光刻机，是无法像美光等厂商一样，持续对晶体管进行微缩，这就是两者的最大区别，美光可以按照原有的技术走，但长鑫未必就走的通，只能另想办法。
所以长鑫需要4F架构技术，这算是换道超车，但美光不需要，拥有EUV光刻机的它不需要换道，按照原有方向走就行了，没必要去冒险。
