跨代升级！美光G11 NAND突破400层，DRAM 1δ节点2027年量产
近日，美光科技在2026年技术研讨会上全面公布了其面向AI时代的下一代存储技术路线图，涵盖DRAM、HBM及NAND三大核心领域。这一路线图不仅展示了美光在先进制程上的突破，更揭示了其在架构创新与定制化服务上的深远布局。
在DRAM领域，美光明确了以1δ（1-Delta）节点为核心的演进路线。作为第七代10nm级工艺，1δ节点目前正处于良率爬坡阶段，计划于2027年下半年进入量产。该节点位密度较上一代提升约20%至25%，将全面赋能DDR6、LPDDR6及HBM5等下一代产品。
值得一提的是，美光对行业热议的4F²架构持保留态度。美光认为其在先进制程下缺乏可行的微缩路径且成本过高，因此选择继续沿用6F²平面架构至2030年。与此同时，美光也在同步推进3D DRAM的研发，以期在未来突破平面微缩的物理极限。
HBM（高带宽内存）是AI算力的核心支撑，美光在此领域的布局尤为激进。目前，HBM4已进入大规模量产阶段，下一代HBM4E计划于2027年量产，HBM5与HBM6则分别规划在2028年至2030年间推出。
更具颠覆性的是，美光首次提出了垂直HBM（vHBM）概念。通过混合键合技术，内存将被直接堆叠在处理器上方，实现最短的数据通信路径。同时，针对边缘AI推理场景，美光还推出了vEIM（垂直边缘推理内存），旨在以极低功耗提供高带宽。
此外，美光强调标准HBM与定制HBM将长期共存。从HBM4E开始，美光将通过与客户协同设计基础裸片（Base Die），实现更深度的功能定制，以满足不同AI芯片的差异化需求。
在NAND闪存方面，美光选择跳过G10，直接推出针对AI工作负载优化的G11节点。G11计划于2027年下半年量产，堆叠层数将突破400层，并首次引入晶圆对晶圆（Wafer-on-Wafer）键合技术。
相较于G9，G11的性能实现了飞跃：比特密度提升约2倍，I/O速度提升最高1.5倍，每比特数据传输能耗降低超25%。这一跨代升级将为AI数据中心提供更高效的存储底座。
除了G11节点，美光还在构建两款AI级NAND产品。一款是基于高速SLC设计的超高IOPS产品，专为GPU向量搜索优化；另一款则是通过TSV技术将NAND堆叠在逻辑芯片上，用于近端存储模型权重与KV缓存，进一步缓解AI计算中的“内存墙”问题。
从整体路线图来看，美光正通过制程微缩、3D堆叠与系统级协同设计，构建全方位的AI存储解决方案。无论是1δ节点的量产、vHBM的架构创新，还是G11 NAND的跨代升级，都显示出美光在AI存储赛道上的坚定决心。随着2027年多款新品的集中落地，全球存储市场的竞争格局或将迎来新一轮洗牌。
